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    重磅!深圳出臺促進半導體與集成電路高質量發展“新政”(附全文)

    2022-10-13 09:03 傳感器專家網

    導讀:10月8日,深圳市發展和改革委員會發布《深圳市關于促進半導體與集成電路產業高質量發展的若干措施(征求意見稿)》。

    10月8日,深圳市發展和改革委員會發布《深圳市關于促進半導體與集成電路產業高質量發展的若干措施(征求意見稿)》(以下簡稱《征求意見稿》)。

    《征求意見稿》提出重點支持高端通用芯片、專用芯片和核心芯片、化合物半導體芯片等芯片設計;硅基集成電路制造;氮化鎵、碳化硅等化合物半導體制造;高端電子元器件制造;晶圓級封裝、三維封裝、Chiplet(芯粒)等先進封裝測試技術;EDA工具、關鍵IP核技術開發與應用;光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測設備等先進裝備及關鍵零部件生產以及核心半導體材料研發和產業化。

    此外,《征求意見稿》明確提出全面提升產業鏈核心環節、加速突破基礎支撐環節、聚力增強產業發展動能、構建高質量人才保障體系等內容。

    下為全文:

    深圳市關于促進半導體與集成電路產業

    高質量發展的若干措施

    (征求意見稿)

    為貫徹落實黨中央、國務院關于集成電路產業發展的戰略部署,推進我市半導體與集成電路產業重點突破和整體提升,培育完善的產業生態,增強產業核心競爭力,充分銜接《關于加快集成電路產業發展的若干措施》(深府辦規〔2019〕4號),結合《深圳市培育發展半導體與集成電路產業集群行動計劃(2022-2025年)》,按照精準、可操作的原則,結合我市實際情況,制定以下措施。

    一、適用機構和重點支持領域

    本措施適用于注冊地、統計地及納稅地均在深圳市的集成電路設計、制造、封裝測試、設備、材料企業,或提供相關集成電路產業服務的企業、機構或組織。本措施具體條款另有規定的除外。

    本措施重點支持高端通用芯片、專用芯片和核心芯片、化合物半導體芯片等芯片設計;硅基集成電路制造;氮化鎵、碳化硅等化合物半導體制造;高端電子元器件制造;晶圓級封裝、三維封裝、Chiplet(芯粒)等先進封裝測試技術;EDA工具、關鍵IP核技術開發與應用;光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測設備等先進裝備及關鍵零部件生產;以及核心半導體材料研發和產業化。

    二、全面提升產業鏈核心環節

    (一)實現核心芯片產品突破。重點突破CPU、GPU、DSP、FPGA等高端通用芯片的設計,布局人工智能芯片、邊緣計算芯片等專用芯片的開發。以5G通信產業為牽引,全面突破射頻前端芯片、基帶芯片、光電子芯片等核心芯片。聚焦智能“終端”等泛物聯網應用,推動超低功耗專用芯片、NB-IoT芯片的快速產業化。對企業購買IP開展高端芯片研發,給予IP購買實際支付費用最高20%的資助,單個企業每年總額不超過1000萬元。加快基于RISC-V等精簡指令集架構的芯片研發,對研發投入1000萬元(含1000萬元)以上的RISC-V芯片設計企業,按照不超過研發投入的20%給予補助,每年最高1000萬元。對深圳企業銷售自研芯片,且單款銷售金額累計超過2000萬元的,按照不超過當年銷售金額的15%給予獎勵,最高1000萬元。

    (二)加強對設計企業流片支持。積極協調深圳支持建設的集成電路生產線和中試線開放一定產能,服務深圳中小設計企業的流片需求。支持集成電路設計企業加大新產品研發力度,重點支持集成電路設計企業流片和掩模版制作。對于使用多項目晶圓進行研發的深圳企業,最高給予該款產品首輪掩膜版制作費用的50%和直接流片費用70%、年度總額不超過500萬元的補助;對于首次完成全掩膜工程產品流片的深圳企業,最高給予該款產品首輪掩膜制作費用50%和流片費用50%,年度總額不超過700萬元的補助。

    (三)提升半導體制造能力。加強與集成電路制造企業合作,規劃建設邏輯工藝和特色工藝集成電路生產線,支持建設高端片式電容器、電感器、電阻器等電子元器件生產線。支持代表新發展方向的半導體與集成電路制造重大項目落戶,鼓勵既有集成電路生產線改造升級。對落戶我市由市政府確定的集成電路制造重大項目、深圳本地半導體企業實施的生產線重大升級改造項目,按照不超過設備采購投資額的10%給予補助,單個項目補助額度不超過15億元;自投產之日起,項目的生產性電價、生產性水價分別為當時電價、水價的60%和50%;按照不超過研發費用實際支出的50%給予研發補貼;按照實際銷售收入的10%給予流片補貼。

    (四)趕超高端封裝測試水平。加快MOSFET模塊等功率器件、高密度存儲器封裝技術的研發和產業化,重點突破晶圓級、系統級、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型、三維、真空、Chiplet(芯粒)等先進封裝核心技術,以及脈沖序列測試、IC集成探針卡等先進晶圓級測試技術,按照項目實際投資額的10%給予補助,單個項目不超過1000萬元。

    (五)加速化合物半導體成熟。鼓勵通信設備、新能源汽車、電源系統、軌道交通、智能終端等領域企業推廣試用化合物半導體產品,提升系統和整機產品的競爭力。對年度采購深圳設計或制造的化合物半導體產品金額達2000萬元(含)以上的企業,按不超過采購金額的20%給予補助,每年最高500萬元。引導企業參與關鍵環節技術標準制定,搶占產業制高點,提升產品市場主導權和話語權。

    三、加速突破基礎支撐環節

    (六)加快EDA核心技術攻關。推動模擬、數字、射頻集成電路等EDA工具軟件實現全流程國產化。支持開展先進工藝制程、新一代智能、超低功耗等EDA技術的研發。加大對國產EDA企業的扶持力度,對從事EDA工具軟件研發的企業,按照不超過單個項目總投資的40%給予補助,最高2億元。加大國產EDA工具推廣應用力度,鼓勵企業和科研機構購買或租用國產EDA工具軟件,推動國產EDA工具進入高校課程教學。對購買國產EDA工具軟件的企業或科研機構,按照不超過實際支出費用的70%給予補助,每年最高1000萬元。對租用國產EDA工具軟件的企業或科研機構,按照不超過實際支出費用的50%給予補助,每年最高500萬元。

    (七)推動關鍵材料自主可控。依托骨干企業加快光掩模、光刻膠、聚酰亞胺、濺射靶材、高純度化學試劑、電子氣體、蝕刻液、清洗劑、拋光液、電鍍液功能添加劑、氟化冷卻液、陶瓷粉體等半導體材料的研發生產,按照不超過研發費用(含材料驗證測試費用)的40%給予補助,最高1000萬元。支持首批次新材料進入重點集成電路制造企業供應鏈,按一定期限內產品實際銷售總額給予研制單位不超過30%,最高2000萬元獎勵。

    (八)突破核心設備及零部件配套。鼓勵我市企業進行集成電路關鍵設備及零部件研發,推進檢測設備、薄膜沉積設備、刻蝕設備、清洗設備、高真空泵等高端設備部件和系統集成開展持續研發和技術攻關,按照不超過單個項目總投資的40%給予補助,最高2億元。支持首臺套關鍵設備及零部件進入重點集成電路制造企業供應鏈,按一定期限內產品實際銷售總額給予研制單位不超過30%,最高2000萬元獎勵。大力引進國內外設備及零部件領域龍頭企業落戶深圳,給予不超過3000萬元一次性落戶獎勵。

    (九)加大關鍵核心技術攻關支持力度。進一步增強深圳集成電路產業核心競爭力,提升產業整體自主創新能力,打破重大關鍵核心技術受制于人的局面,對我市集成電路產業重點領域、優先主題、重點專項的關鍵技術攻關予以資助。引導企業加大研發投入,對符合條件、開展研究開發活動的深圳集成電路企業,給予研究開發費用補助。對于新引進投資300萬元以上的集成電路企業給予房租補貼。

    四、聚力增強產業發展動能

    (十)積極承擔國家專項戰略任務。鼓勵有關單位承擔國家發展改革委、工業和信息化部、科學技術部等部委開展的集成電路領域重大項目、重大技術攻關計劃和重點研發計劃。根據國撥資金撥付進度,給予不超過1:1的資金配套,總額不超過項目總投資的30%。對重點核心企業提出的能夠解決集成電路產業鏈“卡脖子”問題,但未獲得國家資金的重大項目,根據企業自籌資金投入情況,可分階段給予不超過30%的配套資金支持。對于成功申報國家產業創新中心、國家制造業創新中心、國家技術創新中心的,予以1:1配套支持。

    (十一)支持企業做大做強。助力企業快速發展,提高市場占有率,不斷做大產業規模。對年度營業收入首次突破1億元、3億元、5億元、10億元的深圳集成電路EDA、IP及設計企業,分別給予企業核心團隊500萬元、700萬元、1000萬元和1200萬元的一次性獎勵。對年度營業收入首次突破10億元、20億元、50億元、100億元的深圳集成電路制造、封裝測試、關鍵裝備和材料企業,分別給予企業核心團隊500萬元、700萬元、1000萬元和1200萬元的一次性獎勵。

    (十二)強化產業支撐平臺建設。建設集成電路領域制造業創新中心、產業創新中心、IC設計平臺、設備材料研發中心、檢測認證中心等公共服務平臺,以骨干企業、科研機構為依托,聯合上下游企業和高校、科研院所等構建中小企業孵化平臺,對符合我市產業布局要求并經市級認定的平臺,按不超過平臺建設費用的40%給予補助,最高3000萬元。平臺建成后,根據運營服務情況,按每年不超過1500萬元給予補助。

    (十三)完善產業投融資環境。探索設立市級集成電路產業投資基金,重點支持集成電路產業發展。支持符合條件的企業通過融資貸款、融資租賃參與項目建設和運營,按照實際貸款或融資部分最高2.5個百分點進行貼息,貼息年限最長不超過5年。支持企業充分利用主板、創業板、科創板等多層次資本市場上市融資發展,按上市掛牌進程分階段給予不超過1500萬元的補助。支持保險機構參與集成電路產業發展,引導保險資金開展股權投資。

    (十四)促進進出口貿易快速增長。搭建覆蓋通關全過程的信息互通和監管平臺,優化和簡化集成電路產品的進出口環節和程序,建立本市集成電路企業、科研機構等試點單位“白名單”,便利試點單位通關。建立集成電路重點商品進口指導目錄,對企業進口自用集成電路生產性原材料、消耗品,凈化室專用建筑材料、配套系統和集成電路生產設備及零配件等目錄所列商品,且年度累計進口金額超過5000萬元的,按照進口金額的5%給予補貼,每年最高500萬元。嚴格落實國家集成電路企業稅收優惠政策,對集成電路重大項目進口新設備,準予分期繳納進口環節增值稅。

    (十五)支持行業組織發揮橋梁作用。成立聯合產業鏈上下游的半導體與集成電路產業聯盟,不斷匯聚和融合全球產業資源和力量,提升深圳半導體與集成電路整體競爭力。支持產業聯盟、行業協會等社會組織發展,按項目擇優給予最高500萬元資助。對經認定的聯盟、協會等社會組織,每年按照實際租金及物業服務管理費的50%予以補貼,可連續補貼3年,每年最高不超過100萬元。在招商引資方面有突出貢獻的給予招商引資獎勵。

    五、構建高質量人才保障體系

    (十六)加強人才激勵保障。充分發揮市場調節作用,突出以用為本、市場認可、市場評價,以人才市場價值、經濟貢獻為主要評價標準,建立與人才市場價值、經濟貢獻掛鉤的市場化激勵機制,重點支持引進和留住一線研發人員,工程技術骨干及中高層管理人員,個人獎勵金額最高不超過500萬元。對在列入國家鼓勵的重點集成電路企業清單單位從事基礎研究、核心技術研發的人才,給予一定年限的穩定支持。對市行業主管部門認定的集成電路重點單位,優先給予人才住房配額。

    (十七)實施集成電路全球人才回溯計劃。加快從重點國家(地區)靶向引進全球高端人才、創新團隊和管理團隊。設立海外人才引進服務機構與海外人才歸國綠色通道,拉通海外集成電路高層次人才“選引用留”全流程服務機制,提供全程代辦服務,為高層次人才發放“鵬城優才卡”,人才憑卡可直接辦理子女入學、人才住房、醫療保健、獎勵補貼申報等業務。

    (十八)產學聯動培養各層次專業人才。大力發揮企業在人才培養中的作用,加快推進產教融合,鼓勵有條件的高校(含技師學院)采取與集成電路企業合作的方式共建高技能人才培訓基地,經認定符合條件的培訓基地項目,按照不超過基地建設投入的20%給予一次性補助,最高2000萬元。加強高校(含技師學院)專業建設,擴大半導體專業招生規模,重點培養一批高層次、復合型人才。

    六、打造高水平特色產業園區

    (十九)優化產業空間供給。由市產業主管部門統籌,半導體與集成電路產業集群重點區負責對每年的產業用地和產業用房指標予以量化,保證全市半導體與集成電路產業每年新增或升級改造20萬平米產業用地或50萬平米產業用房供給。采用“容缺受理”“并聯審批”模式,提前開展用地選址預審,同步審定項目遴選方案和產業發展監管協議,提高審批效率加快土地出讓。

    (二十)加大特色園區建設支持力度。對經認定的新建或已有產業空間改造的特色產業園區,在立項、注冊、審批環節開通綠色通道,就近配套道路、供水、排污、排水、電訊光纜、供電、天然氣和土地平整等“八通一平”基礎設施。根據實際需要,建設跨區域的雙回路供電備份設施,滿足集成電路制造企業高強度、不間斷電力供應需求。

    (二十一)加強環保配套措施。對于擬建設的特色園區,由市、區環保主管部門組成工作專班,一對一提供環保專業指導服務。完善園區環境基礎設施建設,鼓勵園區加大配套固體、液體和氣體污染物處理設施、環境監測、環境風險應急防控、環境信息化等方面的投入,按照不超過建設費用的50%給予補助,最高2000萬元。

    七、附則

    本措施由深圳市發展和改革委員會負責解釋,執行期間如遇國家、省、市有關政策及規定調整的,本措施可進行相應調整。各責任單位應當及時制定出臺實施細則或操作規程。鼓勵各區、各產業園區根據各自產業規劃布局特點獨立制定補充配套措施。本措施與市區兩級其他同類優惠措施,由企業按照就高不就低的原則自主選擇申報,不重復資助,已按市、區兩級“一事一議”享受政策支持的,本措施不再予以支持。


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